SK하이닉스가 5조 3,000억원을 투자해 충북 청주 낸드플래시 공장에 D램 생산기지를 건설한다.
인공지능(AI) 시대가 도래하면서 D램을 쌓아 만드는 HBM(고대역폭메모리) 수요가 폭발하자, 이에 대처하기 위해 기존의 낸드 생산전략을 차세대 D램으로 신속히 전환하는 승부수를 띄운 것이다.
SK하이닉스는 24일 이사회 결의를 통해 충북 청주시에 건설할 신규 팹(Fab) M15X를 D램 생산기지로 확정하고, AI 인프라(Infra)의 핵심인 HBM 등 차세대 D램 생산능력(Capacity) 확장에 나서기로 했다고 밝혔다.
AI반도체 수요에 대처하기 위해 5조 3,000억원이 투자되는 SK 하이닉스 청주 신규 팹(Fab) M15X 건설 조감도. SK하이닉스 제공
하이닉스는 이달 말부터 팹 건설 공사에 나서 2025년 11월 준공 후 양산을 시작할 예정이다.
장비 투자도 순차적으로 진행해 장기적으로 M15X에 총 20조 원 이상을 투자, 생산 기반을 확충한다는 방침이다.
반도체 업계는 AI의 붐으로 인해 D램 시장이 중장기적 성장 국면에 접어든 것으로 보고 있다.
이에 따라 D램을 8개 또는 12개를 쌓아 데이터 처리 속도와 용량을 높인 고부가가치 D램인 HBM의 경우 연평균 60% 이상의 성장세가 예상된다.
이와 함께 서버용 고용량 더블데이트레이트(DDR)5 같은 고부가가치 D램 모듈 제품을 중심으로 일반 D램 수요도 꾸준히 증가할 것으로 전망하고 있다.
특히 HBM은 일반 D램 제품과 동일한 생산량 확보를 위해서는 생산 능력이 최소 2배 이상 요구되기 때문에, D램 캐파를 늘리는 것이 선결 과제라는 게 SK하이닉스의 판단이다.
SK하이닉스는 이에 따라 2027년 상반기 용인 반도체 클러스터의 첫 번째 팹 준공 전에 청주 M15X에서 신규 D램을 생산하기로 했다.
M15X는 HBM 패키징(TSV) 라인을 확충하고 있는 M15 공장과 인접해 있어 HBM 생산을 최적화할 수 있다는 장점도 고려됐다.
SK하이닉스 신규 팹(Fab) M15X가 건설되는 청주 캠퍼스 단지도. SK하이닉스 제공
한편 SK하이닉스는 약 120조 원이 투입되는 용인 클러스터 등 계획된 다른 국내 투자는 차질 없이 진행한다는 방침이다.
현재 용인 클러스터의 부지 조성 공정률은 약 26%로, 목표 대비 3%포인트 빠르게 공사가 진행 중이라고 회사측은 설명했다.
생산시설이 들어설 부지에 대한 보상절차와 문화재 조사는 완료됐고, 전력과 용수, 도로 등 인프라 조성 역시 계획보다 빠르게 진행되고 있다는 것이다.
SK하이닉스는 용인 첫 번째 팹을 내년 3월 착공해 2027년 5월 준공할 예정이다.
2012년 SK그룹에 편입된 SK하이닉스는 2014년부터 총 46조 원을 투자해 이천 M14를 시작으로 총 3개의 공장을 추가로 건설한다는 계획 아래 국내 투자를 지속해 왔으며, 2018년 청주 M15, 2021년 이천 M16을 각각 준공했다.
이어 청주 M15X와 용인 클러스터 투자를 순차적으로 추진중이다.
SK하이닉스 곽노정 대표이사 사장은 “M15X는 전세계에 AI 메모리를 공급하는 핵심 시설로 거듭나 회사의 현재와 미래를 잇는 징검다리가 될 것”이라며 “이번 투자는 국가경제의 미래에도 보탬이 되는 큰 발걸음이 될 것으로 확신한다”고 말했다.
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