SK하이닉스 곽노정 대표이사 사장(CEO)은 2일 “올해 이어 내년에 생산할 HBM도 대부분 솔드아웃(Sold-out, 완판)됐다”고 말했다.
곽 사장은 이날 경기 이천 본사에서 열린 ‘AI 시대, SK하이닉스 비전과 전략’을 주제로 한 내외신 기자간담회에서 이같이 말했다.
SK하이닉스 곽노정 CEO가 2일 경기 이천 본사에서 열린 'AI시대, 비전과 전략' 미디어 컨퍼런스에서 발언하고 있다. SK하이닉스 제공
그는 "HBM 리더십을 더욱 확고히 하기 위해 5월 중 세계 최고 성능 HBM3E 12단 제품의 샘플을 출시한다"며 "3분기 양산에 돌입할 예정"이라고 밝혔다.
이에 앞서 삼성전자는 지난 30일 2분기 중 HBM3E 12단 제품을 양산하겠다고 공개했는데, 곽사장의 이날 발표는 SK하이닉스도 이에 뒤지지 않겠다는 의지를 분명히 한 셈이다.
이와 관련, 최우진 부사장(P&T 담당)은 "SK하이닉스가 보유한 첨단 핵심 패키징 공법인 ‘어드밴스드 MR-MUF’ 기술은 생산성을 4배로 높이며, 열 방출도 45% 향상시켜 HBM 고단 적층에도 최적"이라며 "6세대 HBM(HBM4)에도 어드밴스드 MR-MUF를 적용해 16단 제품을 구현할 예정"이라고 덧붙였다.
곽 사장은 "현재 AI는 데이터센터 중심이지만, 향후 스마트폰, PC, 자동차 등 온 디바이스(On-Device) AI로 빠르게 확산될 전망"이라며 "이에 따라 AI에 특화된 ‘초고속,고용량, 저전력‘ 메모리 수요가 폭발적으로 증가할 것"이라고 내다봤다.
그는 "SK하이닉스는 HBM, TSV 기반 고용량 D램, 고성능 eSSD 등 각 제품별 업계 최고의 기술 리더십을 확보했다"며 "앞으로 글로벌 파트너사들과의 전략적인 협업을 통해 세계 최고의 고객맞춤형 메모리 솔루션을 제공할 것"이라고 말했다.
김주선 사장(AI Infra 담당)은 "AI 시대 반도체 산업은 구조부터 바뀌는 패러다임 전환을 맞이하게 돼 업(업)에 대한 새로운 접근이 필요하다"며 "혁신적인 메모리를 함께 준비하고 있다"고 밝혔다.
그는 차세대 제품으로 6세대 HBM(HBM4) 및 확장 버전(HBM4E), LPDDR6, 300TB SSD 뿐 아니라 CXL 풀드 메모리 솔루션(여러 개의 CXL 메모리를 묶어 풀을 구성하고, 여러 호스트(CPU, GPU 등)가 용량을 나눠 쓰도록 해주는 솔루션), PIM(Processing-In-Memory, 메모리 반도체에 연산 기능을 더해 데이터 이동 정체 문제를 풀어낼 차세대 기술) 등을 꼽았다.
SK하이닉스는 “청주 M15x(2025년 11월 준공)에 이어 용인 클러스터(2027년 5월 준공), 미국 어드밴스드 패키징 투자 통해 급증하는 AI 메모리 수요에 적기 대응할 예정"이라고 말했다.
SK하이닉스 곽노정 CEO가 2일 경기 이천 본사에서 열린 미디어 컨퍼런스에서 기자들의 질문에 답변하고 있다. SK하이닉스 제공
이날 행사에는 곽노정 대표이사 사장과 함께 김주선 사장(AI Infra 담당), 김종환 부사장(D램개발 담당), 안현 부사장(N-S Committee 담당), 김영식 부사장(제조,기술 담당), 최우진 부사장(P&T 담당), 류병훈 부사장(미래전략 담당), 김우현 부사장(CFO) 등 주요 경영진이 참석했다.
간담회는 곽 사장의 오프닝(Opening) 발표를 시작으로 김주선 사장의 ‘AI 메모리 비전‘, 최우진 부사장의 ‘SK하이닉스 HBM 핵심 기술력과 미국 어드밴스드 패키징 추진’, 김영식 부사장의 ‘청주 M15x 및 용인 클러스터 투자’ 등 3개 발표 세션과 기자들과의 문답 순으로 진행됐다.
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