삼성전자의 5세대 고대역폭 메모리 HBM3E가 엔비디아의 테스트를 아직 통과하지 못했다고 로이터통신이 24일(현지 시각) 보도했다.

HBM은 D램을 여러 개 쌓아 속도를 높이면서 전력 소비를 줄인 고성능 메모리 반도체로, 인공지능(AI) 반도체에 필수적 요소다. HBM3E는 엔비디아의 가장 최신 AI 가속기인 'H100'과 차세대 제품인 'B200'에 들어간다.

삼성전자의 HBM3E D램. 삼성전자

로이터는 복수의 익명 소식통을 인용해 “삼성전자가 아직 엔비디아의 HBM3E 기준을 충족하지 못했으며 테스트가 여전히 진행 중”이라고 전했다.

다만 엔비디아는 삼성의 4세대 HBM인 HBM3 공급은 승인했다고 보도했다.

로이터는 삼성의 HBM3가 엔비디아가 미국 정부의 중국 제재에 맞춰 중국용으로 개발한 H20에만 사용될 예정이라고 밝혔다.

H20은 엔비디아의 가장 최신 AI 가속기인 H100에 비해 성능이 5분의 1 정도인 것으로 알려졌다. 삼성의 HBM3를 다른 AI 프로세서에 사용할지는 확인되지 않았다.

로이터는 “이 분야의 확실한 선두인 SK하이닉스가 HBM3E 생산을 늘리고 HBM3의 생산을 줄일 계획”이라며 엔비디아 입장에서는 HBM3 공급을 더 보완할 필요가 있었을 것이라고 분석했다.

한편 SK하이닉스는 지난해 8월 세계 최초로 HBM3E를 개발했고 지난 3월 엔비디아에 처음으로 납품을 시작했다.

엔비디아는 올해 안에 기존 가속보다 추론 성능이 30배 높은 'B200'을 양산할 예정이며 여기에는 HBM3E가 기존 가속기의 두 배인 16개가 들어간다.

사이렌스 정기홍 jkhong4@naver.com 정기홍의 기사 더보기

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